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碳化硅濕法分選

碳化硅濕法分選

碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍矿道网

2017年10月14日本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。一、对粉体湿法分级工艺的认识水力分级是根据流体动力学的原理，使颗粒物料在但是，从已探明储量看，各矿种之间的资源丰富程度相差甚大，有的矿产可以或基中国矿产资源基本特点

碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍粉体分级设备

2016年10月10日碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍摘要：粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微 2017年3月22日本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。一、对粉体湿法分级工艺的认识水力分级是根据流体动力学的原理，使颗粒物料在碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍技术磨料磨具网磨料

一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法百度学术

2023年6月9日本发明涉及结构陶瓷材料技术领域,具体涉及一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法本发明公开了一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法,包括步骤:取原 2011年6月4日水力溢流分级机是目前碳化硅颗粒分级普遍采用的湿法分级设备,对其进行研究,弄清它的工作原理和设备参数及操作碳化硅微粒的水力溢流分级过程的数值模拟: 随碳化硅濕法分選采石场设备网

半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究

2021年8月20日摘要：碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。摘要近年來,國內外太陽能設備安裝量逐年上升,預估未來將有大量太陽能廢棄物產生, 為及早防治廢棄物堆積對國內產生環境危害等問題,本文針對市占率最高之矽晶型太陽能光電模矽晶型太陽能光電模組資源化技術研究 tgpftw

半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究百度学术

2022年3月14日半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大,电子饱和漂移速度高,击穿场强高,热导率高,化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导碳化硅晶圆湿法腐蚀方法本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法,该湿法腐蚀方法包括:获取碳化硅晶圆,所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层,所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆湿法腐蚀方法百度学术

碳化硅的制备及应用最新研究进展汉斯出版社

固相法是利用两种或两种以上的固体物质，通过充分研磨和高温煅烧生产碳化硅的传统方法。该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被 2024年4月15日湿法腐蚀形成的圆形形状通过相对低选择比的 RIE 刻蚀条件转移到了碳化硅上，这种台面结构结合离子注入结终端扩展可用于边缘终端结构。此外，采用高温坚膜的厚光刻胶作为刻蚀掩膜，可以得到具有非常平缓斜角的台面结构，同样也是有用的终端结构。一文搞懂碳化硅干法刻蚀产业资讯

碳化硅脱硫喷嘴简介应用Mideler Fog Systems CoSpray

碳化硅脱硫喷嘴简介碳化硅是一种硬度极高的特种陶瓷材料，广泛应用于多种工业领域。在电厂的湿法脱硫中，由于喷雾介质是石灰浆液，具有很强的磨蚀性，因此采用具有极佳耐磨损性能的碳化硅作为喷嘴材料。当前市面上常用的碳化硅脱硫喷嘴有两种 2023年6月9日本发明涉及结构陶瓷材料技术领域,具体涉及一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法本发明公开了一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法,包括步骤:取原料85 wt%~92 wt%碳化硅,5 wt%~10 wt%碳源,1 wt%~2 wt%分散剂,1 wt%~2 wt%粘结剂以一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法百度学术

碳化硅筛分法和电阻法检测

2015年1月13日筛分法是一种最传统的碳化硅粒度测试方法。它是使颗粒通过不同尺寸的筛孔来测试粒度的。筛分法分干筛和湿筛两种形式，可以用单个筛子来控制单一粒径碳化硅颗粒的通过率，也可以用多个筛子叠加起来同时测量多个粒径颗粒的通过率，并计算出百分数。2024年4月22日 e公司讯，据捷佳伟创消息，近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署。捷佳伟创：子公司中标半导体碳化硅整线湿法设备订单腾讯新闻

碳化硅晶圆湿法腐蚀方法[发明专利]百度文库

2019年7月5日碳化硅晶圆湿法腐蚀方法[发明专利]( 19 )中华人民共和国国家知识产权局( 12 )发明专利申请(21)申请号 2 7(22)申请日 2017 12 27(71)申请人无锡华润微电子有限公司地址江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号22 2023年5月29日采用干法，湿法，干湿相结合的方法生产碳化硅细粉。耐火材料晶粒完整、气孔率低、颗粒形状好、堆积密度高东海县蓝博能源有限公司，是专业生产碳化硅产品为主的矿产品加工企业。始建于1991年，拥有进口自主经营权，是中国五矿化工网站首页碳化硅生产厂家东海县蓝博能源有限公司

碳化硅百度百科

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 2 天之前在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。目前主流的切割工艺大体顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术

半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究中文知识网

摘要：碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的 2017年10月14日粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。一、对粉体湿法分级工艺的认识水力分级是根据碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍矿道网

風力分選:原理,套用,工程設計要點與參數,設備,中文百科全書

2024年6月8日風力搖床的結構與濕法分選使用的搖床類似，只是在風力搖床上藉助連續上升或間斷上升的氣流推動礦粒鬆散，從而發生分層。這種設備在風力分選中套用比較廣泛，類型也比較多，主要用來處理粗粒級煤，也常用於分選某些金屬礦石和稀有金屬砂礦 2017年6月30日湿法分级采用液体作为分级介质，虽然存在着需要二次处理问题，但它有着分级精度高、无爆炸性粉尘等优点，更符合现代工业的高要求。常用的湿式超细分级设备，主要是基于离心力沉降原理的水力旋流器和螺旋式离心分级机。水力旋流器的优点是：构一文读懂超细粉体湿法分级技术与设备技术磨料磨具网

子公司中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署

2024年4月22日近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整线湿法设备订单并顺利完成合同签署。近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）在竞标中技术与商务综合评估领先，中标半导体碳化硅整 2022年3月10日第51卷第期0年月人工晶体学报JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSVol．51No．February，0半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究张序清1，，罗昊1，李佳君，王蓉，杨德仁1，，皮孝东1，1．浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院，杭州31007;．浙江大学杭州国际科创中心，杭州31100摘半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究张序清道客巴巴

半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测碳化硅磁选plc，朝阳碳化硅用作磨料等用途的碳化硅需要较高的纯度和一定的粒度组成，所以必须对冶炼炉生产出来的块状晶体进行加工处理。处理的主要内容是通过破碎、筛分或水洗选来得到一定的粒度，通过水洗或酸碱洗、磁选来提高纯度、有的还需经碳化硅磁选plc破碎机厂家

一种碳化硅晶片的清洗方法与流程 X技术网

2019年4月5日 3)湿法清洗：使用清洗剂包括浓硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、双氧水、去离子水中的至少一种，清洗温度为20～150℃；清洗过程中可配合超声或兆声波清洗。 4)将清洗干净的碳化硅晶片进行表面杂质的测试，合格的产品进行封装。按照上述方法对碳 2019年5月5日碳化硅肖特基器件的刻蚀技术研究SiC 材料被制作成大功率、抗辐照、高温、高频、短波长发光及光电集成器件, 在光电子、微电子等领域起到了独特的作用, 成为国际上广受关注的新型材料和光电子、微电子领域研究的热点。从实际器件的工艺现实来看, 湿法刻碳化硅肖特基器件的刻蚀技术研究百度文库

注浆成型碳化硅陶瓷材料成型工艺研究百度文库

获得高可靠性的碳化硅材料,与其成型工艺密不可分。碳化硅陶瓷材料的成型工艺主要分为湿法和干法成型两种 [4]。干法成型包括干压成型和等静压成型。湿法成型有塑性成型和胶态成型。胶态成型主要包括注浆成型 [5]、流延成型和新型胶态成型方法。2024年1月7日 Affiliation 碳化硅 (SiC) 是一种有前景的材料，具有广泛的应用前景，包括机械纳米谐振器、量子光子学和非线性光子学。然而，其化学惰性给蚀刻的分辨率和平滑度带来了挑战。在此，提出了一种称为氦离子轰击增强蚀刻（HIBEE）的新方法来实现高质量的氦离子辅助湿法刻蚀具有极低粗糙度的碳化硅，实现高质量

知乎专栏

2024年1月22日中科大温晓镭，浙大胡欢Small Methods：面向制备高质量碳化硅纳米器件的氦离子辅助湿法刻蚀技术发布时间：碳化硅（SiC）作为备受瞩目的第三代半导体材料，具备很多优越性能。例如，它能够承受高电场、耐高温，非常适合用于高温电子中科大温晓镭，浙大胡欢Small Methods：面向制备高质量

半导体碳化硅衬底的湿法氧化

2023年6月25日摘要/Abstract 摘要：半导体碳化硅 (4HSiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4HSiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4HSiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本 2007年6月29日生产规模较小时，可采用永磁块湿法磁选。当生产规模较大时，可采用湿式电磁磁选机，如CST162型电磁除铁机。该机磁场强度为7000奥斯特以上，每隔20~30min停机取出滤片清洗一次，可使物料的磁性物含量降至0002%以上。绿碳化硅微粉的磁选科技资讯中国粉体网

碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍技术磨料磨具网磨料

2017年3月22日摘要粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。一、对粉体湿法分级工艺的认识摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆湿法腐蚀方法,该湿法腐蚀方法包括:获取碳化硅晶圆,所述碳化硅晶圆的正面设置有待腐蚀层,所述碳化硅晶圆的背面设置有与所述碳化硅晶圆欧姆接触的金属材料;在设置于所述碳化硅晶圆背面的金属材料表面覆盖耐腐蚀的保护膜碳化硅晶圆湿法腐蚀方法百度学术

东尼电子：碳化硅量产爬坡瓶颈打通，今年有望成为公司业务

2023年4月9日本次股东会上，沈新芳向与会外部股东详细介绍了东尼电子碳化硅衬底片量产爬坡规划，在突破上文谈到的量产工艺瓶颈后，月产量有望向1万片乃至更高水平快速爬升，“这个事情我们从设备的订购、安装、厂房的设施，配套的设施，电气水基本都能跟上半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究【摘要】碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究百度文库

一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法【掌桥专利】

2024年1月17日本发明提供了一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法，包括如下步骤：步骤S100，在碳化硅晶圆表面制备含有氢氧化钾物质的薄膜；步骤S200，对含有氢氧化钾物质的薄膜进行加热，形成局部高温区；步骤S300，高温氢氧化钾对碳化硅晶圆表面进 2022年4月24日国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先

赤泥中提取有价金属元素的研究进展

2022年6月23日赤泥中铁的提取方法主要可分为直接磁选法、还原磁选法和湿法分离提取。直接磁选法是物理选矿的方法，徐淑安等[14] 利用SLON高梯度磁选机对云南某拜耳法赤泥进行磁选研究，发现赤泥中细粒度颗粒较多且磁性较弱，难以吸附到磁力介质，采用直接磁 2017年3月23日粉体采用湿法分级工艺，是干法分级不可代替的传统工艺。溢流分级使颗粒表面更清洁，粒度氛围更趋于符合产品的组成范围。本文阐述了以碳化硅、刚玉微粉为例的分级工艺，希望起到抛砖引玉的效果。一、对粉体湿法分级工艺的认识碳化硅、刚玉微粉湿法分级工艺介绍技术涂附磨具网

单晶碳化硅低温湿法刻蚀试验华林科纳（江苏）半导体设备

2021年11月17日总结在单晶SiC晶圆的加工过程中，研究了适合于去除加工损伤的低温湿法蚀刻。通过使用高锰酸钾系列的药液，确认了大幅度低于KOH的熔点360℃的低温湿法蚀刻是可能的。今后，我们将进一步调查浸渍条件对蚀刻特性的影响，同时对Si面和C面的蚀 2021年9月11日摘要本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和大约200V之间或者在大约100°CTo 然后可以致密该碳化硅层碳化硅薄膜的沉积方法华林科纳（江苏）半导体设备有限公司

半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究百度学术

2022年3月14日摘要：碳化硅 (SiC)具有禁带宽度大,电子饱和漂移速度高,击穿场强高,热导率高,化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料得益于工艺简单,操作便捷,设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析,表面改性的常规工艺手段,应用半导体・Semiconductor・晶圆自动剥离・晶圆槽式清洗设备・晶圆预清洗设备・晶圆自动剥离清洗・晶圆最终清洗设备・晶圆清洗系统・晶圆中清洗设备・晶圆前道清洗・硅晶圆・半导体湿法・晶圆切割・日本・中国・半导体材料・蚀刻・光刻机・清洗・光罩・光刻系统・电子束・晶圆・硅片・日本苏州中聚科芯科技晶圆自动剥离设备・晶圆槽式清洗设备制造

碳化硅百度百科

2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物碳化硅粉体的制备及改性技术武汉理工大学陶瓷制备技术课程论文碳化硅粉体的制备及改性技术湿法成型有利于消除粉体的团聚、减少坯体中杂质的含量、降低坯体的缺陷数量和成型复杂形状的陶瓷部件。湿法成型主要分为塑性成型和胶态浇注成型碳化硅粉体的制备及改性技术百度文库

碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见

2014年3月26日碳化硅生产过程中产生的问题： ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的 2024年4月15日湿法腐蚀形成的圆形形状通过相对低选择比的 RIE 刻蚀条件转移到了碳化硅上，这种台面结构结合离子注入结终端扩展可用于边缘终端结构。此外，采用高温坚膜的厚光刻胶作为刻蚀掩膜，可以得到具有非常平缓斜角的台面结构，同样也是有用的终端结构。一文搞懂碳化硅干法刻蚀产业资讯

碳化硅脱硫喷嘴简介应用Mideler Fog Systems CoSpray

碳化硅脱硫喷嘴简介碳化硅是一种硬度极高的特种陶瓷材料，广泛应用于多种工业领域。在电厂的湿法脱硫中，由于喷雾介质是石灰浆液，具有很强的磨蚀性，因此采用具有极佳耐磨损性能的碳化硅作为喷嘴材料。当前市面上常用的碳化硅脱硫喷嘴有两种 2023年6月9日摘要：本发明涉及结构陶瓷材料技术领域,具体涉及一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法本发明公开了一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法,包括步骤:取原料85 wt%~92 wt%碳化硅,5 wt%~10 wt%碳源,1 wt%~2 wt%分散剂,1 wt%~2 wt 一种反应烧结碳化硅及其湿法成型制备方法百度学术