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新型碳化硅
新型碳化硅
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 目前，我国已成功研制出4米量级碳化硅反射镜，解决了大口径碳化硅非球面反射镜制造难题，拥有了具有自主知识产权的4米量级碳化硅非球面反射镜集成制造系 2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。目前已发 【中国科学报】20余年坚守创新 他为国产碳化硅“开路”中国
下一代半导体：一路向宽，一路向窄新华网
2021年9月29日 随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。 走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化 2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半
2023年5月6日 随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从衬底外延器件模块应用巨大的市场需求。 我国目前在以碳化硅、氮 2022年6月8日 通过全球方法，在 SACADASamara 碳同素异形体数据库的 522 个纯碳结构中，用化学计量比为 1:1 的碳和硅原子替换碳原子，发现了六个具有直接带隙的新 六种具有直接带隙的新型碳化硅：综合研究,Chemical Physics
碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
SiC功率器件的优势 与传统硅器件相比，基于碳化硅的功率器件具有多种关键优点。 其更高的电压和频率性能实现了更高的系统效率、更快速的开关、更低的损耗，以及更出色的 2023年12月21日 IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展 核心提示：湖北九峰山实验室功率器件负责人袁俊做了“新型碳化硅沟槽器件技术研究进展”的主题报告，分享了JFS多级沟槽二极管研究，JFS新型沟槽MOSFET等内容。 碳化硅功率器件具有高压高功率 IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术
一种1 200 V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计
摘要: 为了实现能源的高效利用，通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点，但二者存在折衷关系碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用，在不过多增大导通电阻的情况下，减小栅漏电容以降低器件在高频应用中的动态功耗是本文的设计重点提出 2023年11月6日 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料电子工程专辑 首次发现！ 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化 首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料电子
铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
2016年6月3日 铝碳化硅复合材料介绍 铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其 生产制造技术投入资金 2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的18倍）过渡。日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可
Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的
新型SiC器件将采用Microchip的客户为导向的产品淘汰机制，Microchip将根据客户需求来决定是否继续生产此类产品。 供货 Microchip将为该SiC产品组合提供一系列支持，例如各类SiC SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校正（PFC）Vienna整流器的参考设计等。新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用 整星固有频率特性一直是卫星主结构刚度设计的主要约束条件之一,而主结构材料的弹性模量是影响刚度的主要因素,采用铝基碳化硅新型材料,可以在不增加重量,不对工艺作大的修改的前提下,有效提高整星结构刚度 新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用 百度学术
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可 意法半导体以新型碳化硅 器件驱动电动车辆和工业应用的未来 意法半导体近期完成了其第三代SiC技术平台的鉴定。基于该平台的平面MOSFET为晶体管效率、功率密度和开关性能设定了全新的业界领先基准。批产品现已上市 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 浙江省数据
2018年8月18日 实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 日期：， 查看：1093 字体大小： 碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、且在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的 知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
【科技日报】新型铝基碳化硅复合材料为“祝融”漫步火星护航
2021年5月26日 随后，他们设计出一系列新型高强、高塑、高稳定性的铝基碳化硅复合材料，并成功突破大尺寸坯料制备与成形加工技术难题，使得所研发的高强韧新型铝基碳化硅复合材料具备了应用可行性，从而为火星探测器顺利研制提供了有力保障。 “与传统铝基碳化硅 随着直流微电网的发展,直流断路器作为其主要保护装置而受到高度关注结合第三代宽禁带半导体器件的 优势,提出了一种新型低压直流碳化硅 (SiliconCarbide,SiC)固态断路器 (SolidStateCircuitBreaker,SSCB)拓扑,该 SSCB主开关采用常通型SiCJFET器件,用于切断主电路中 一种新型低压直流碳化硅固态断路器∗
顺利开幕2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术
开幕大会现场 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。 开幕大会现场2017年6月7日 技术需求 主要内容 1 、通过与基体复合解决陶瓷材料致命的弱点脆性的关键技术研究； 2 、碳化硅陶瓷材料在功能性材料上的应用关键技术研究； 3 、碳化硅陶瓷材料在结构性材料上的应用关键技术研究。 产学研拟 合作模式 技术转让 委托开发 共同开发 56新型碳化硅陶瓷基复合材料的应用湖南恒裕新材料科技
德科学家研发新型碳化硅电力设备资讯超硬材料网
2014年6月24日 德国Fraunhofer ISE 研究所近日成功研发出一种10千伏阻断电压的新型 碳化硅 设备，装配在DCDC转换器中用于中压 电力设备 。 这种碳化硅设备使电力工程中电力电子转换器的工作效率得到了极大的改善和提高；对于未来可再生能源发电厂的能源网构建有 2018年8月21日 宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的 宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂中国科学
日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可
2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的18倍）过渡。2024年4月23日 结合第三代宽禁带半导体器件的优势,提出了一种新型低压直流碳化硅 (Silicon Carbide,SiC)固态断路器 (SolidState Circuit Breaker,SSCB)拓扑,该SSCB主开关采用常通型SiC JFET器件,用于切断主电路中的故障电流。 辅助旁路由SiC MOSFET器件、RC缓冲电路和压敏电阻 (MOV)组成,用于 一种新型低压直流碳化硅固态断路器周颢晖何东徐星冬蒋磊
宁波材料所研发制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 宁波
2018年8月21日 该研究成果表明，具有三元层状的Y 3 Si 2 C 2 材料可成为碳化硅陶瓷新型的烧结助剂，其具有低温液相存在和高温相分解的特性，能起到促进碳化硅陶瓷高温烧结过程中晶粒重排和晶界处重结晶的效果。 该科研成果已在线发表在《欧洲陶瓷学会期刊》上（ 2022年9月7日 采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法 CN Patent CNA, filed Sep 07, 2022, and issued Mar 15, 2024 复制 唐明强 and 景玮晨 and 刘厚盛 and 崔新宇 and 王吉强 and 熊天英 2024采用新型原料体系制备纯碳化硅涂层的化学气相沉积方法
话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究电子
2024年4月15日 当前，新型电力系统所采用的碳化硅器件分成两类，一类是中低压的SiC MOSFET器件，电压范围为1200V6500V。这类碳化硅器件主要用在配电网，比如分布能源的光伏逆变器、储能PCS 等。需求放量是在未来配网实现有源化之后，交流和直流的连接必 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 介绍了碳化硅陶瓷基复合材料的应用和发展现状,阐述了CVICMCSiC制造技术在我国的研究进展,开展了CVICMCSiC的性能与微结构特性的研究和CVI过程控制及其对性能影响的研究,研制了多种CMCSiC和其构件材料性能和整体研究与 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展 百度学术
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析器件
11:27 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基 新型高温高压碳化硅 IGBT 器件将对大功 率应用，特别是电力系统的应用产生重大的影响。 在15 kV 以上的应用领域，碳化硅 IGBT 综合了功耗低和开关速度快 的特点， 相对于碳化硅的 MOSFET以及硅基的 IGBT、晶闸 管等器件具有显著的技术优势，特别适用于高压电力系统 应用领域。新型电力电子器件—碳化硅ppt课件百度文库
六种具有直接带隙的新型碳化硅：综合研究,Chemical Physics
2022年6月8日 六种具有直接带隙的新型碳化硅：综合研究 比为 1:1 的碳和硅原子替换碳原子，发现了六个具有直接带隙的新 SiC 相。新发现的六个碳化硅 相在空间群Pccn, P 4/ ncc, Pmn 2 1, P 6 3 / m, 我 4 ¯ 3 米, 和Pnma, 其中晶体结构、稳定性、弹性各向异性、电子 碳化硅（SiC）具有较好的导热性，较强的抗氧化性及很高的机械强度，作为新型催化剂载体在强放热、高腐蚀性、液相催化等反应中有很好的应用前景，近年来受到广泛关注。目前关于SiC载体的研究主要集中在三个方面：（1）高比表面积多孔SiC材料的制备；（2）基于现有商业化低比表面积SiC材料的 新型催化剂载体碳化硅的研究现状
英飞凌为小米SU7智能电动汽车供应多款产品 Infineon
2024年5月6日 英飞凌为小米SU7 Max版供应两颗1200 V HybridPACK Drive G2 CoolSiC模块。 此外还为小米汽车供应满足不同需求的其它广泛产品，例如不同应用中的EiceDRIVER™栅极驱动器和10款以上的微控制器。 两家公司还同意在SiC汽车应用领域开展进一步合作，以充分发挥英飞凌碳化硅 2023年1月28日 新型碳化硅超高压器件 终端技术 在碳化硅 IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板 更耐高压、更低功耗：新型碳化硅IGBT器件闪耀半导体器件
碳化硅陶瓷百度百科
碳化硅 (SiC) [1]是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。 碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400 2023年12月22日 新型碳化硅沟槽器件技术研究进展 碳化硅功率器件具有 高压 高功率领域等优势，市场广阔，应用场景广泛。 也被认为是下一代800V电动汽车电驱核心技术。 近日，第九届国际第三代 半导体 论坛 （IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际 新型碳化硅沟槽器件技术研究进展 电子发烧友网
新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究及进展 豆丁网
2020年11月22日 新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究进展ProgressResearchWorkCMCSiC摘要]新型碳化硅陶瓷基复合材料具有密度低、高强度、高韧性和耐高温等综合性能已得到世界各国高度重视，本文主要介绍了新型碳化硅陶瓷基复合材料的研究和发展现状,阐述了CVCMCSiC制造技术在我国的研究进展,开展了C2022年10月9日 碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
厦门芯光润泽新型碳化硅MOSFET器件腾讯新闻
2020年4月30日 近些年来电力电子系统的发展对系统中的功率器件提出了更高的要求，硅(Si)基电力电子器件由于材料本身的限制已无法满足系统应用的要求。而新型半导体材料碳化硅(SiC)在诸多特性上远好于硅材料，使用碳化硅制备的MOSFET器件在导通电阻、开关时间、开关损耗和散热性能等方面，均有着替代现有 2024年6月1日 一种新型碳化硅列管式换热器密封结构，包括钢衬四氟管板和碳化硅管，所述钢衬四氟管板上具有碳钢基板，钢衬四氟管板上开设有台阶型螺纹安装孔，碳化硅管端部插设在钢衬四氟管板的螺纹安装孔中；综上所述，本实用新型采用四氟0型环与四氟螺母的简化组合进行密封，整体密封件数量大大 一种新型碳化硅列管式换热器密封结构2024pdf专利下载
新型碳化硅/聚吡咯复合材料；制备及理化性质,Materials
2005年5月1日 C1s 区域的高分辨率扫描区分了碳化硅和聚吡咯碳。复合材料表面的聚吡咯分数由硅和氮含量估算。XPS 和电导率测量的组合表明 SiC/PPy 复合材料的表面富含聚吡咯，导电聚合物质量负载至少为 126 wt%。C1s 区域的高分辨率扫描区分了碳化硅和聚吡咯碳。2017年10月15日 新型半导体材料碳化硅毕业论文2、挑战我国开展SiC 材料及器件研究工作较晚，在科技部及军事预研项目的支持下，取得了一定的成果，逐步缩小了与国外先进技术的差距，在军工领域取得了一些应用。但是研究的主要成果还停留在实验室阶段 新型半导体材料碳化硅毕业论文百度文库
新型碳化硅器件LLC谐振变换器的研究硕士中文学位【掌桥
2022年8月17日 本文以电动汽车充电桩充电电源系统为应用背景，设计了高频率、高效率、低损耗的新型碳化硅器件LLC谐振变换器，该变换器可以应用于充电桩的充电电源模块。 首先对比分析不同电路结构的优缺点，选用LLC谐振变换器，应用其电路拓扑简便、开关频率高 2023年11月17日 器件端：基于先进碳化硅材料生长和工艺技术的新型 碳化硅器件 工艺端：面向下一代碳化硅器件的新制造及封装工艺 一个冷知识：国内碳化硅产业链其实比硅更加完整，几乎做到全国产，性能上存在的一些差距也正迅速缩小。国内最新一代的 报告分享复旦大学研究员雷光寅博士：碳化硅功率器件现状及
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
目前，碳化硅陶瓷作为一种新型 的结构性陶瓷材料，具有许多金属等结构材料无法比拟的性能，如：高温强度高、低热膨胀系数、优异的耐磨性、耐腐蚀性强、高硬度、高温蠕变小。因此在许多领域有着非常广泛的应用。以下是几种常见的领域 2023年12月21日 碳化硅功率器件具有高压高功率领域等优势，市场广阔，应用场景广泛。也被认为是下一代800V电动汽车电驱核心技术。 近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术
一种1 200 V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计
摘要: 为了实现能源的高效利用，通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点，但二者存在折衷关系碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用，在不过多增大导通电阻的情况下，减小栅漏电容以降低器件在高频应用中的动态功耗是本文的设计重点提出 2023年11月6日 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料电子工程专辑 首次发现！ 碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料 由助理教授Richard Norte领导的代尔夫特理工大学的研究人员公布了一种引人注目的新材料，具有影响材料科学世界的潜力：非晶碳化 首次发现！碳化硅成为微芯片传感器中的新型超强材料电子
铝碳化硅（AlSiC）复合材料及产品介绍 铝碳化硅复合材料介绍
2016年6月3日 铝碳化硅复合材料介绍 铝碳化硅复合材料(AlSiC) Metalized Ceramic),是一种新型功能复合材料,全称铝基碳化硅陶瓷颗粒增强复合材料(Reinforced Material Aluminum Matrix SiC Particle )。 其展现出的优异性能,吸引了国内外无数的科研院所和科技公司对其 生产制造技术投入资金 2023年12月26日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。 晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的18倍）过渡。日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可
Microchip宣布推出碳化硅（SiC）产品，助力打造可靠的
新型SiC器件将采用Microchip的客户为导向的产品淘汰机制，Microchip将根据客户需求来决定是否继续生产此类产品。 供货 Microchip将为该SiC产品组合提供一系列支持，例如各类SiC SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校正（PFC）Vienna整流器的参考设计等。新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用 整星固有频率特性一直是卫星主结构刚度设计的主要约束条件之一,而主结构材料的弹性模量是影响刚度的主要因素,采用铝基碳化硅新型材料,可以在不增加重量,不对工艺作大的修改的前提下,有效提高整星结构刚度 新型铝基碳化硅复合材料在卫星主结构中的应用 百度学术
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可 意法半导体以新型碳化硅 器件驱动电动车辆和工业应用的未来 意法半导体近期完成了其第三代SiC技术平台的鉴定。基于该平台的平面MOSFET为晶体管效率、功率密度和开关性能设定了全新的业界领先基准。批产品现已上市 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 浙江省数据
2018年8月18日 实验室发展出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂 日期：， 查看：1093 字体大小： 碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、且在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的